ISC151N08NM6ATMA1 vs IPTC017N12NM6ATMA1 مقایسه
مقایسه دقیق کنار به کنار ISC151N08NM6ATMA1 توسط Infineon و IPTC017N12NM6ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.
مقایسه مشخصات
| پارامتر | ISC151N08NM6ATMA1 | IPTC017N12NM6ATMA1 |
|---|---|---|
| برند | Infineon | Infineon |
| دسته‌بندی | MOSFETs | MOSFETs |
| وضعیت چرخه عمر | فعال | فعال |
| نوع ترانزیستور | N-Channel MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 80 V | 120 V |
| Continuous Drain Current (TA=25°C) | 9.2 A | — |
| جریان پیوسته درین (TC=25°C) | 37 A | — |
| Power Dissipation (TA) | 3 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 48 W | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 15.1 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 3.5 V | — |
| Technology | OptiMOS 6 | OptiMOS 6, N-channel trench MOSFET |
| بسته‌بندی | PG-TDSON-8 FL | PG-HDSOP-16 (Surface Mount) |
| نوع نصب | Surface Mount | Surface Mount |
| تعداد پین‌ها | 8 | — |
| Channel Mode | Enhancement | — |
| دمای کاری | -55 °C to +175 °C | -55 °C to +175 °C (TJ max) |
| وضعیت RoHS | Compliant | Compliant |
| Continuous Drain Current (ID, Ta) | — | 32 A |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | — | 331 A |
| On-State Resistance RDS(on) max | — | 1.7 mΩ at VGS = 10 V |
| Gate-Source Threshold VGS(th) | — | 2.4 V (typ) |
| Total Gate Charge QG | — | 141 nC at VGS = 10 V |
| Input Capacitance Ciss | — | 2.4 nF at VDS = 60 V |
| Output Capacitance Coss | — | 11000 pF at VDS = 60 V |
| Power Dissipation (Ta) | — | 3.8 W |
| Power Dissipation (Tc) | — | 395 W |
| Gate Drive Voltage (recommended) | — | 10 V |