ISZ033N03LF2SATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ033N03LF2SATMA1 بواسطة Infineon و BSZ0501NSIATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ033N03LF2SATMA1 BSZ0501NSIATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55 C to +175 C —
العلبة PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
حالة RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Tj max]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر