ISZ033N03LF2SATMA1 vs BSZ0501NSIATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של ISZ033N03LF2SATMA1 מאת Infineon ו BSZ0501NSIATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
ISZ033N03LF2SATMA1 ISZ033N03LF2SATMA1 - 30V 109A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISZ033N03LF2SATMA1 - 30V 109A N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

ISZ033N03LF2SATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר ISZ033N03LF2SATMA1 BSZ0501NSIATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
FET Type N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 20 A —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 109 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 71 W —
Gate-Source Voltage (VGS) max [DATA_NEEDED: VGS max rating] —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.35 V max @ 30 uA —
On-Resistance (RDS(on)) [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] —
Total Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg typ] [DATA_NEEDED: Qg]
טמפרטורת צומת פעולה -55 C to +175 C —
מארז PG-TSDSON-8 FL (8-pin) PG-TSDSON-8-FL (3.3 x 3.3 mm)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Technology OptiMOS 5 —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Manufacturer — Infineon Technologies
Part Number — BSZ0501NSIATMA1
Product Family — OptiMOS 5 (25V/30V)
Drain-Source Voltage (Vds) — 30 V
Continuous Drain Current (Id) at TA=25C — 25 A
Continuous Drain Current (Id) at TC=25C — 40 A
Power Dissipation (Pd) at TA=25C — 2.1 W
Power Dissipation (Pd) at TC=25C — 50 W
Operating Mode — Enhancement Mode
Configuration — Single with built-in diode
Number of Terminals — 8
JESD-609 Code — e3 (matte tin)
רמת MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Rds(on) at Vgs=10V (typ) — [DATA_NEEDED: Rds(on) value]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: Vgs(th)]
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: Tj max]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר