ISZ15EP15LMATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ ISZ15EP15LMATMA1 بواسطة Infineon و BSC050N04LSGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل ISZ15EP15LMATMA1 BSC050N04LSGATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max -150 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 1500 mOhm @ VGS = -10 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 820 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26.3 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology OptiMOS trench-gate OptiMOS 3 (trench MOSFET)
العلبة PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) -55C to +150C
حالة RoHS Compliant Compliant
مستوى MSL 1 1
Packaging Tape and Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر