ISZ15EP15LMATMA1 vs BSC050N04LSGATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của ISZ15EP15LMATMA1 bằng Infineon và BSC050N04LSGATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
ISZ15EP15LMATMA1 ISZ15EP15LMATMA1 - 150V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISZ15EP15LMATMA1 - 150V P-Channel OptiMOS MOSFET | Infineon

ISZ15EP15LMATMA1 ✓ Hoạt động
Infineon
BSC050N04LSGATMA1 BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 - 40V 85A N-Ch OptiMOS 3 | Infineon

BSC050N04LSGATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số ISZ15EP15LMATMA1 BSC050N04LSGATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies —
Series OptiMOS —
Polarity P-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) max -150 V —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max 1500 mOhm @ VGS = -10 V —
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 820 mA —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C 2.7 A —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 2.5 W —
Power Dissipation (PD) at TC=25C 26.3 W —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max] [DATA_NEEDED: VGS(th) typ/min/max]
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: Qg total] —
Technology OptiMOS trench-gate OptiMOS 3 (trench MOSFET)
Hộp PG-TSDSON-8 (PQFN 3.3 x 3.3 mm) with exposed pad PG-TDSON-8-5 (TDSON-8 EP, 5x6 mm)
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (junction) -55C to +150C
Trạng thái RoHS Compliant Compliant
Cấp MSL 1 1
Packaging Tape and Reel (T&R) —
FET Type — N-Channel
Drain-to-Source Voltage (VDS) — 40 V
Gate-to-Source Voltage (VGS) — ±20 V
Continuous Drain Current at 25C (ID, Ta) — 18 A
Continuous Drain Current at 25C (ID, Tc) — 85 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current IDM]
Power Dissipation at Ta (PD) — 2.5 W
Power Dissipation at Tc (PD) — 57 W
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) max at VGS=10V]
On-State Resistance (RDS(on)) at VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Avalanche Energy Rated — Yes (single-pulse avalanche)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá