K4A4G085WD-BCTD vs MT40A512M8RH-075E:B مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4A4G085WD-BCTD بواسطة Samsung Electronics و MT40A512M8RH-075E:B بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A4G085WD-BCTD - 4Gb DDR4 SDRAM 512Mx8 2666Mbps | Samsung
K4A4G085WD-BCTD ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4A4G085WD-BCTD | MT40A512M8RH-075E:B |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Die Generation | D-die | — |
| Density | 4 Gb | 4 Gbit |
| التنظيم | 512M x 8 | 512M x 8 |
| معدل البيانات | 2666 Mbps/pin | 2666 MT/s (DDR4-2666) |
| جهد التغذية | 1.2 V | — |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: operating temperature range (standard grade)] |
| العلبة | 78-ball FBGA | 78-FBGA (9 x 10.5 mm), TFBGA |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | DDR4 (JEDEC-compatible) | — |
| Speed Class | DDR4-2666 (PC4-21300) | — |
| Bank Architecture | DDR4 bank-group architecture | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| DLL | Yes | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| مستوى MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1.33 GHz) |
| VDD Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VDDQ Supply Voltage | — | 1.2 V +/-60 mV |
| VPP Supply Voltage | — | 2.5 V, -125 mV/+250 mV |
| نوع الواجهة | — | Parallel |
| I/O Structure | — | 1.2V pseudo open-drain |
| جهد المرجع | — | On-die internal adjustable VREFDQ generation |
| Refresh | — | Refresh max interval extension at extended TC temperature range (125C capable per family features) |
| Speed Grade Suffix | — | -075E |
| Packaging Option Suffix | — | :B (ball map B designation per Mouser listing) |