K4B4G1646D-BCK0 vs K4B4G1646D-BYK00 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646D-BCK0 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646D-BYK00 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYK00 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 96FBGA | Samsung
K4B4G1646D-BYK00 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646D-BCK0 | K4B4G1646D-BYK00 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Number of Banks | 8 | — |
| معدل البيانات | 1600 Mbps per pin | 1600 Mbps |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35V (1.283V to 1.45V) | — |
| زمن الوصول CAS | 11 (programmable) | Programmable |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball TFBGA |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C (Tc) | 0°C to 85°C |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| خالٍ من الهالوجين | Yes | Yes |
| جهد التغذية | — | 1.35 V (also operates at 1.5 V) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Additional Features | — | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, data mask, dynamic on-chip termination |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Temperature Grade | — | OTHER |