K4B4G1646E-BYK000 vs K4B4G1646 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4B4G1646E-BYK000 بواسطة Samsung Electronics و K4B4G1646 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | K4B4G1646E-BYK000 | K4B4G1646 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 4 Gbit | 4 Gbit |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Speed Grade | DDR3-1600 (1.25 ns clock cycle) | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS Latency (CL) | [DATA_NEEDED: CAS latency - 1.25 ns CL grade indicates CL11 but not explicitly stated in provided data] | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L), 1.5 V compatible (DDR3) | — |
| Number of Banks | [DATA_NEEDED: bank count] | — |
| Die Process | Samsung E-die | — |
| العلبة | 96-FBGA (BYK) | 96-FBGA |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +95C |
| الميزات | Auto precharge, asynchronous reset, ZQ calibration, dynamic on-chip termination, data mask | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Access Time | 1.25 ns | — |
| Max Data Rate | — | Up to 2133 Mbps (grade dependent) |
| Clock Frequency Range | — | 800 MHz to 2133 Mbps (grade dependent) |
| جهد التغذية | — | 1.5 V (DDR3L variants 1.35 V) |
| On-Chip Termination (ODT) | — | Dynamic ODT |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Die Revisions | — | B-die, D-die, Q-die (DDR3L) |
| مستوى MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |