K4RHE086VB-BCWM vs K4RAH086VB-BCWM مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RAH086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ نشط
Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM - DDR5 16Gb 5600Mbps SDRAM | Samsung Semiconductor

K4RAH086VB-BCWM ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4RHE086VB-BCWM K4RAH086VB-BCWM
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs DRAM
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $44.55
نوع الذاكرة DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb —
التنظيم 2G x 8 2G x 8
معدل البيانات 5600 Mbps 5600 Mbps
جهد التغذية 1.1 V 1.1 V
العلبة 82 FBGA FBGA-82
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
الواجهة DDR5 (JEDEC) DDR5 (parallel)
Configuration x8 —
Application Segment Server / Data Center / Premium PC —
Manufacturer Samsung Semiconductor —
حالة RoHS unknown Compliant
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] Commercial temperature range (per datasheet)
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
حجم الذاكرة — 16 Gb
Technology — DRAM (volatile)
Speed Grade — BCWM
ECC — On-die ECC
Burst Length — 32 (BL32, DDR5 standard)
حالة دورة الحياة — Active
Sub-channel Architecture — Dual independent 32-bit sub-channels (per DDR5 spec)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر