K4RHE086VB-BCWM vs K4RCH046VM-2CLP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K4RHE086VB-BCWM بواسطة Samsung Electronics و K4RCH046VM-2CLP بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K4RHE086VB-BCWM K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM - 24Gb DDR5 5600Mbps DRAM | Samsung

K4RHE086VB-BCWM ✓ نشط
Samsung Electronics
K4RCH046VM-2CLP K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP - 32Gb DDR5 SDRAM 6400Mbps | Samsung

K4RCH046VM-2CLP ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K4RHE086VB-BCWM K4RCH046VM-2CLP
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 24 Gb 32 Gb
التنظيم 2G x 8 4G x 4
معدل البيانات 5600 Mbps 6400 Mbps
جهد التغذية 1.1 V 1.1 V
العلبة 82 FBGA 78-FBGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
الواجهة DDR5 (JEDEC) DDR5 (SSTL-style low-voltage signaling)
Configuration x8 x4 component
Application Segment Server / Data Center / Premium PC —
Manufacturer Samsung Semiconductor —
حالة RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0C to 85C
Access Time / CAS Latency [DATA_NEEDED: CAS latency] —
On-Die ECC [DATA_NEEDED: on-die ECC support] —
Package Height [DATA_NEEDED: package height] —
Family Speed Range (Samsung DDR5) — up to 7200 Mbps
Family Density Range (Samsung DDR5) — 16 Gb to 32 Gb
Power Efficiency vs DDR4 — Approx. 30% greater
Product Status (per distributor listing) — Sample / Active supply via distribution
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر