K9DUGY8S7M vs K9PKGY8S7M-CCK0 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ K9DUGY8S7M بواسطة Samsung Electronics و K9PKGY8S7M-CCK0 بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Samsung Electronics
K9DUGY8S7M K9DUGY8S7M - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9DUGY8S7M - Samsung V-NAND Flash Memory | Samsung Electronics

K9DUGY8S7M ✓ نشط
Samsung Electronics
K9PKGY8S7M-CCK0 K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung

K9PKGY8S7M-CCK0 - 128Gb 3D V-NAND MLC Flash | Samsung

K9PKGY8S7M-CCK0 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل K9DUGY8S7M K9PKGY8S7M-CCK0
العلامة التجارية Samsung Electronics Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Samsung Electronics Samsung Electronics
نوع الذاكرة NAND Flash (V-NAND, 3D) NAND Flash
Family K9DUG-series NAND —
Density [DATA_NEEDED: density] —
التنظيم [DATA_NEEDED: organization] —
جهد التغذية [DATA_NEEDED: supply voltage] [DATA_NEEDED: supply voltage]
نوع الواجهة [DATA_NEEDED: interface type] —
Page Size [DATA_NEEDED: page size] [DATA_NEEDED: page size]
Block Size [DATA_NEEDED: block size] [DATA_NEEDED: block size]
Program/Erase Cycles [DATA_NEEDED: p/e cycles] [DATA_NEEDED: P/E cycle endurance]
Access Time / tR [DATA_NEEDED: access time] —
العلبة [DATA_NEEDED: package code] BGA
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
حالة RoHS Compliant Lead free / RoHS compliant
مستوى MSL [DATA_NEEDED: MSL level] —
Memory Capacity — 128 Gb (16 GB)
Cell Architecture — 3D V-NAND, MLC (2 bits/cell)
V-NAND Layers — 24 layers
الواجهة — Asynchronous/toggle-mode NAND bus (per Samsung V-NAND family)
Application Domain — Enterprise SSD (e.g., Samsung 845DC Pro)
Access Time (tR) — [DATA_NEEDED: read cycle time]
Data Retention — [DATA_NEEDED: retention specification]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر