L9779WD-TR vs L9779WDM-TR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ L9779WD-TR بواسطة STMicroelectronics و L9779WDM-TR بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

STMicroelectronics
L9779WDM-TR L9779WDM-TR - Automotive Quad Low-Side Driver | STMicroelectronics

L9779WDM-TR - Automotive Quad Low-Side Driver | STMicroelectronics

L9779WDM-TR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل L9779WD-TR L9779WDM-TR
العلامة التجارية STMicroelectronics STMicroelectronics
الفئة Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
حالة دورة الحياة نشط نشط
الوظيفة Multifunction IC for engine management —
البنية الطوبولوجية Engine Management PMIC with MSC interface —
Process Technology BCD6S —
Supply Voltage (VBAT) Up to 18 V typ., load-dump tolerant —
Number of 5 V Sensor Supplies 5 (current-limited) —
Injector Low-Side Drivers 4 x low-side drivers —
Lamp/Relay Pre-Drivers 4 x low-side pre-drivers —
Communication Interface MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR) —
Watchdog Yes (integrated) —
KEY_ON Input Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode) —
Charge Pump Yes (internal, for N-channel FET drive) —
الإيقاف الحراري Yes —
العلبة HiQUAD-64 (power package, exposed pad) SOIC-20 (SO-20)
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Number of Channels — 4
نوع الخرج — Low-Side Open-Drain
Supply Voltage Range — 4.5 V to 40 V
Maximum Output Current per Channel — 1 A
On-Resistance (Typical) — 0.5 ohm
تيار السكون — 10 uA (standby)
PWM Frequency — Up to 20 kHz
الواجهة — SPI
Protection Features — Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40C to +150C
مستوى MSL — 3 (168 hours)
AEC-Q100 — Qualified

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر