L9779WD-TR vs L9779WDM-TR Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma L9779WD-TR tarafından STMicroelectronics ve L9779WDM-TR tarafından STMicroelectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre L9779WD-TR L9779WDM-TR
Marka STMicroelectronics STMicroelectronics
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Fonksiyon Multifunction IC for engine management —
Ağ Yapısı Engine Management PMIC with MSC interface —
Process Technology BCD6S —
Supply Voltage (VBAT) Up to 18 V typ., load-dump tolerant —
Number of 5 V Sensor Supplies 5 (current-limited) —
Injector Low-Side Drivers 4 x low-side drivers —
Lamp/Relay Pre-Drivers 4 x low-side pre-drivers —
Communication Interface MSC (L9779WD/-TR); SPI (L9779WD-SPI/-SPI-TR) —
Watchdog Yes (integrated) —
KEY_ON Input Yes (internal pull-down, external reverse-battery diode) —
Charge Pump Yes (internal, for N-channel FET drive) —
Termal Kapatma Yes —
Paket HiQUAD-64 (power package, exposed pad) SOIC-20 (SO-20)
İşletim Sıcaklığı -40C to +125C (automotive AEC-Q100 grade) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Number of Channels — 4
Çıkış Türü — Low-Side Open-Drain
Supply Voltage Range — 4.5 V to 40 V
Maximum Output Current per Channel — 1 A
On-Resistance (Typical) — 0.5 ohm
Durağan Akım — 10 uA (standby)
PWM Frequency — Up to 20 kHz
Arayüz — SPI
Protection Features — Overcurrent, Overtemperature, Short-Circuit
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -40C to +150C
MSL Seviyesi — 3 (168 hours)
AEC-Q100 — Qualified

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin