M25P32-VMW3TGB vs AT45DB041D-SU مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M25P32-VMW3TGB بواسطة Micron Technology و AT45DB041D-SU بواسطة Renesas Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M25P32-VMW3TGB M25P32-VMW3TGB - 32Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron Technology

M25P32-VMW3TGB - 32Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron Technology

M25P32-VMW3TGB ✗ انتهى عمره الإنتاجي
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M25P32-VMW3TGB AT45DB041D-SU
العلامة التجارية Micron Technology Renesas Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نهاية العمر الإنتاجي نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Serial SPI DataFLASH NOR
Density 32 Mbit (33554 kbits) 4 Mbit (4,325,376 bits)
التنظيم 4M x 8 bits 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Max SPI Clock Frequency 75 MHz —
Access Time 8 ns —
Page Program Size 1 to 256 bytes —
Programming Method Page Program instruction —
Write Protection Advanced write protection mechanisms —
Package Type VDFPN-8 (8 x 6 mm, SO W) —
عدد الأطراف 8 —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
حالة RoHS RoHS compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Application Class Automotive, industrial controllers, computing modules —
Memory Format — FLASH
الواجهة — SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
أقصى تردد للساعة — 66 MHz
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
العلبة — 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
Lead-Free — Yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر