M25P32-VMW3TGB vs AT45DB041D-SU مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار M25P32-VMW3TGB توسط Micron Technology و AT45DB041D-SU توسط Renesas Electronics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Micron Technology
M25P32-VMW3TGB M25P32-VMW3TGB - 32Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron Technology

M25P32-VMW3TGB - 32Mbit SPI NOR Flash 75MHz | Micron Technology

M25P32-VMW3TGB ✗ پایان تولید
Renesas Electronics
AT45DB041D-SU AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU - 4Mbit SPI DataFlash 66MHz 8-SOIC | Renesas

AT45DB041D-SU ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر M25P32-VMW3TGB AT45DB041D-SU
برند Micron Technology Renesas Electronics
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر پایان عمر محصول فعال
نوع حافظه NOR Flash, Serial SPI DataFLASH NOR
Density 32 Mbit (33554 kbits) 4 Mbit (4,325,376 bits)
سازمان 4M x 8 bits 2,048 pages x 264 bytes (binary) or 256 bytes (standard)
ولتاژ تغذیه 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Max SPI Clock Frequency 75 MHz —
Access Time 8 ns —
Page Program Size 1 to 256 bytes —
Programming Method Page Program instruction —
Write Protection Advanced write protection mechanisms —
Package Type VDFPN-8 (8 x 6 mm, SO W) —
تعداد پایه 8 —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualification AEC-Q100 qualified —
وضعیت RoHS RoHS compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Application Class Automotive, industrial controllers, computing modules —
Memory Format — FLASH
رابط — SPI, RapidS (SPI modes 0 and 3)
حداکثر فرکانس کلاک — 66 MHz
SRAM Data Buffers — 2 x 264 bytes
Page Program Time — [DATA_NEEDED: page program time]
Endurance — 100,000 program/erase cycles per page
Data Retention — 20 years minimum
Security Register — 128 bytes
دمای کاری — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
بسته‌بندی — 8-pin SOIC (150 mil, EIAJ)
Lead-Free — Yes

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت