M29DW323DB70N3E vs M29W160ET70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29DW323DB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W160ET70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29W160ET70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns TSOP48 | Micron
M29W160ET70N3E ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | M29DW323DB70N3E | M29W160ET70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | Flash - NOR | NOR Flash (Parallel) |
| Memory Format | FLASH | — |
| Technology | FLASH - NOR Memory IC | — |
| Density | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) | — |
| Memory Organization | 4M x 8 / 2M x 16 | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| جهد التغذية | 3 V class (per manufacturer datasheet) | 3 V / 3.3 V (nominal) |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| العلبة | 48-TSOP I | 48-TSOP |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Boot Block Location | Bottom (DB variant) | Top boot |
| Byte/Word Organization Select | Yes (BYTE pin) | — |
| Applications Domain | Embedded code storage / XIP | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant (E suffix) |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] | — |
| حجم الذاكرة | — | 16 Mbit |
| التنظيم | — | 2M x 8 / 1M x 16 |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q100 qualified |
| Bus Width Selection | — | BYTE# pin, x8 or x16 |
| Sector Protection | — | Hardware boot block protection |
| Programming Type | — | Automatic program and erase |
| Packing | — | Tray (RoHS-compliant package, standard packing) |
| Endurance | — | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] |
| Data Retention | — | [DATA_NEEDED: data retention] |