M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55M3E2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F200FB55N3F2 بواسطة Micron Technology و M29F200FT55M3E2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron
M29F200FT55M3E2 ✗ انتهى عمره الإنتاجيمقارنة المواصفات
| المعامل | M29F200FB55N3F2 | M29F200FT55M3E2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نهاية العمر الإنتاجي |
| نوع الذاكرة | Parallel NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | — |
| التنظيم | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 128K x 16 bits |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | Top Boot Block |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| العلبة | 48-TSOP I | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | unknown |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| حجم الذاكرة | — | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Program / Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Package Type | — | 44-SO (SOP-44) |
| Memory Cell Type | — | SLC (Single-Level Cell) |
| Erase Block Structure | — | Boot block sector architecture |
| Programming Mode | — | Byte / Word |
| Status Signaling | — | Data polling / toggle bit |
| حالة دورة الحياة | — | End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market |