M29F200FB55N3F2 vs M29F200FT55M3E2 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29F200FB55N3F2 द्वारा Micron Technology और M29F200FT55M3E2 द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Micron Technology
M29F200FB55N3F2 - 2Mbit 5V NOR Flash 55ns 48-TSOP | Micron
M29F200FB55N3F2 ✓ सक्रियMicron Technology
M29F200FT55M3E2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash SOIC-44 | Micron
M29F200FT55M3E2 ✗ जीवन की समाप्तिविशेषता तुलना
| पैरामीटर | M29F200FB55N3F2 | M29F200FT55M3E2 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Micron Technology | Micron Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | उत्पादन बंद |
| मेमोरी प्रकार | Parallel NOR Flash | NOR Flash (Parallel) |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | — |
| संगठन | 256K x 8 bit / 128K x 16 bit | 128K x 16 bits |
| Number of Words | 128 K (x16 mode) | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | 5 V |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Boot Block Architecture | Bottom Boot Block (FB) | Top Boot Block |
| Programming | Embedded byte/word program algorithm | — |
| Erase | Embedded block erase controller | — |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40C to +125C | -40C to +125C |
| पैकेज | 48-TSOP I | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel (TR) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | Parallel |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] | unknown |
| Endurance | [DATA_NEEDED: program/erase cycles] | — |
| मेमोरी आकार | — | 2 Mbit (2097 kbits) |
| Program / Erase Controller | — | Embedded byte/word program algorithms |
| Package Type | — | 44-SO (SOP-44) |
| Memory Cell Type | — | SLC (Single-Level Cell) |
| Erase Block Structure | — | Boot block sector architecture |
| Programming Mode | — | Byte / Word |
| Status Signaling | — | Data polling / toggle bit |
| लाइफसाइकिल स्थिति | — | End of Life (EOL) - last-time-buy / broker market |