M29F400FB55M3F2 vs M29F800FB55M3F2 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29F400FB55M3F2 بواسطة Micron Technology و M29F800FB55M3F2 بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29F400FB55M3F2 M29F400FB55M3F2 - 4Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FB55M3F2 - 4Mbit 5V NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FB55M3F2 ✓ نشط
Micron Technology
M29F800FB55M3F2 M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 - 8Mbit 5V 55ns NOR Flash SO44 | Micron

M29F800FB55M3F2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29F400FB55M3F2 M29F800FB55M3F2
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel NOR Flash, Parallel
Density 4194 kbits (4 Mbit) 8389 kbits (8 Mbit)
التنظيم 512K x 8 / 256K x 16 512K x 16-bit / 1M x 8-bit
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V 5 V
Boot Block Position Bottom boot block —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Grade Automotive (Auto Grade, 125C) —
Package Type 44-pin SO (SOP), wide body —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Programming Embedded byte/word program algorithm Embedded byte/word program algorithms
Erase Embedded program/erase controller, block erase —
Packaging Tape and Reel (TR) —
حالة RoHS RoHS-compliant package (F2 suffix) [DATA_NEEDED: RoHS status]
Bus Width 8-bit or 16-bit (selectable) —
عدد الدبابيس 44 —
Number of Words — 512 k
Bits per Word — 16 bits
Boot Block Type — Bottom Boot Block
الواجهة — Parallel, Asynchronous
OTP Area — 64 byte
Automotive Qualification — Auto Grade 3 (temperature grade 3, +125C)
العلبة — 44-pin SO (SOIC-44)
Packing — Tape & Reel (T/R)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر