M29W160FB70N3E vs M29W800FB70N3F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W160FB70N3E بواسطة Micron Technology و M29W800FB70N3F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ نشط
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W160FB70N3E M29W800FB70N3F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
حجم الذاكرة 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) —
Access Time 70 ns 70 ns
الواجهة Parallel —
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
العلبة / الحالة 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
درجة حرارة التشغيل [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
Density — 8 Mbit
التنظيم — 512K x 16 / 1M x 8
نوع الواجهة — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
العلبة — TSOP-48 (12 x 20 mm)
حالة RoHS — Compliant

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر