M29W160FB70N3E vs M29W800FB70N3F तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W160FB70N3E द्वारा Micron Technology और M29W800FB70N3F द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W160FB70N3E M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E - 16Mb 3V Parallel NOR Flash 70ns | Micron

M29W160FB70N3E ✓ सक्रिय
Micron Technology
M29W800FB70N3F M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F - 8Mb Parallel NOR Flash 70ns TSOP-48 | Micron

M29W800FB70N3F ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W160FB70N3E M29W800FB70N3F
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार FLASH - NOR NOR Flash (Boot Block)
मेमोरी आकार 16 Mbit (2M x8 / 1M x16) —
Access Time 70 ns 70 ns
इंटरफ़ेस Parallel —
Supply Voltage (VCC) 3.0 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Programming Voltage Single supply (no separate VPP required) —
Bus Configuration x8 / x16 selectable (BYTE# pin) —
Architecture Boot block —
पैकेज / केस 48-TFSOP (0.724 in, 18.40 mm width) —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray Tape & Reel
ऑपरेटिंग तापमान [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention] —
Status Output Data polling / toggle bit —
Block Protection Yes (boot block protection) —
Density — 8 Mbit
संगठन — 512K x 16 / 1M x 8
इंटरफ़ेस प्रकार — Parallel
Boot Block Location — Bottom
Block Count — 19 memory blocks (1 boot, 3 parameter, 15 main)
Bus Width Selection — x8 / x16 via BYTE# pin
Programming Time — 10 us per byte/word (typical)
CFI Compliant — Yes
Erase Suspend/Resume — Yes
पैकेज — TSOP-48 (12 x 20 mm)
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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