M29W320DB70N3E vs M29DW323DB70N3E مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W320DB70N3E بواسطة Micron Technology و M29DW323DB70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | M29W320DB70N3E | M29DW323DB70N3E |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Micron Technology |
| الفئة | Flash | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | NOR Flash | Flash - NOR |
| Density | 32 Mbit (33554 kbits) | 32 Mb (4M x 8, 2M x 16) |
| التنظيم | 2M x 16 | — |
| Number of Words | 2000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | — |
| VPP Fast Program Voltage | 12 V (optional) | — |
| الواجهة | Parallel | Parallel |
| Block Architecture | Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type) | — |
| درجة حرارة التشغيل | -40C to +125C | -40C to +125C |
| العلبة | 48-TSOP I | 48-TSOP I |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| حالة RoHS | ROHS3 Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Programming Mode | Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling | — |
| Power-Up Mode | Read mode (default) | — |
| Memory Format | — | FLASH |
| Technology | — | FLASH - NOR Memory IC |
| Memory Organization | — | 4M x 8 / 2M x 16 |
| جهد التغذية | — | 3 V class (per manufacturer datasheet) |
| Boot Block Location | — | Bottom (DB variant) |
| Byte/Word Organization Select | — | Yes (BYTE pin) |
| Applications Domain | — | Embedded code storage / XIP |
| Standard Pack Quantity | — | [DATA_NEEDED: standard pack quantity] |