M29W800FT70N3F vs M29W800FT70N3E مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ M29W800FT70N3F بواسطة Micron Technology و M29W800FT70N3E بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
M29W800FT70N3F M29W800FT70N3F - 8Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3F - 8Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل M29W800FT70N3F M29W800FT70N3E
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs Flash
حالة دورة الحياة Obsolete نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Density 8 Mbit 8 Mbit
التنظيم 1M x 8 / 512K x 16 1M x 8 / 512K x 16
Access Time 70 ns 70 ns
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V —
الواجهة Parallel, x8/x16 (BYTE# selectable) Parallel, address/data bus
Boot Block Top boot (T variant) —
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
العلبة 48-TSOP I 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
CFI Support Yes (Common Flash Interface) —
Block Protection Yes, with temporary unprotect —
Reset/Power-Down Pin Yes (RP#) —
Erase Suspend/Resume Yes —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Part Status Obsolete —
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]
حالة RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر