M29W800FT70N3F vs M29W800FT70N3E तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना M29W800FT70N3F द्वारा Micron Technology और M29W800FT70N3E द्वारा Micron Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Micron Technology
M29W800FT70N3F M29W800FT70N3F - 8Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3F - 8Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर M29W800FT70N3F M29W800FT70N3E
ब्रांड Micron Technology Micron Technology
श्रेणी Memory ICs Flash
लाइफसाइकिल स्थिति Obsolete सक्रिय
मेमोरी प्रकार NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Density 8 Mbit 8 Mbit
संगठन 1M x 8 / 512K x 16 1M x 8 / 512K x 16
Access Time 70 ns 70 ns
सप्लाई वोल्टेज 2.7 V to 3.6 V —
इंटरफ़ेस Parallel, x8/x16 (BYTE# selectable) Parallel, address/data bus
Boot Block Top boot (T variant) —
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C -40C to +125C
पैकेज 48-TSOP I 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
CFI Support Yes (Common Flash Interface) —
Block Protection Yes, with temporary unprotect —
Reset/Power-Down Pin Yes (RP#) —
Erase Suspend/Resume Yes —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Part Status Obsolete —
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]
RoHS स्थिति — [DATA_NEEDED: RoHS status]

डेटाशीट और संसाधन

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