M29W800FT70N3F vs M29W800FT70N3E 比較

詳細並排比較 M29W800FT70N3F 由 Micron Technology 與 M29W800FT70N3E 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Micron Technology
M29W800FT70N3F M29W800FT70N3F - 8Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3F - 8Mb 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3F Obsolete
Micron Technology
M29W800FT70N3E M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E - 8Mbit 70ns Parallel NOR Flash | Micron

M29W800FT70N3E ✓ 啟用中

規格比較

參數 M29W800FT70N3F M29W800FT70N3E
品牌 Micron Technology Micron Technology
類別 Memory ICs Flash
生命週期狀態 Obsolete 啟用中
記憶體類型 NOR Flash, Parallel NOR Flash (Parallel)
Density 8 Mbit 8 Mbit
組織 1M x 8 / 512K x 16 1M x 8 / 512K x 16
Access Time 70 ns 70 ns
供應電壓 2.7 V to 3.6 V —
介面 Parallel, x8/x16 (BYTE# selectable) Parallel, address/data bus
Boot Block Top boot (T variant) —
工作溫度 -40C to +125C -40C to +125C
封裝 48-TSOP I 48-TSOP I (12 x 20 mm, 0.5 mm pitch)
安裝類型 Surface Mount Surface Mount
CFI Support Yes (Common Flash Interface) —
Block Protection Yes, with temporary unprotect —
Reset/Power-Down Pin Yes (RP#) —
Erase Suspend/Resume Yes —
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Part Status Obsolete —
Program/Erase Supply Single 2.7 V to 3.6 V —
Supply Voltage (VCC) — 2.7 V to 3.6 V
Programming / Erase Supply — Single supply at VCC (2.7 V to 3.6 V)
Boot Block Location — Top boot block (FT variant)
Bus Width — 8-bit or 16-bit (BYTE pin selectable)
Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Data Retention — [DATA_NEEDED: data retention]
Block Organization — [DATA_NEEDED: block size/organization]
RoHS 狀態 — [DATA_NEEDED: RoHS status]

資料表與資源

瀏覽所有產品 建立 BOM 索取報價