MMA1200D vs MMA1250D مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMA1200D بواسطة NXP Semiconductors و MMA1250D بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MMA1200D MMA1200D - ±281g Z-Axis Accelerometer | NXP SOIC-16

MMA1200D - ±281g Z-Axis Accelerometer | NXP SOIC-16

MMA1200D ⚠ آخر فرصة للشراء
NXP Semiconductors
MMA1250D MMA1250D - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250D - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250D Obsolete

مقارنة المواصفات

المعامل MMA1200D MMA1250D
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة Motion Sensors Motion Sensors
حالة دورة الحياة آخر فرصة للشراء Obsolete
نوع المستشعر Accelerometer, Z-axis Accelerometer, Z-axis single-axis
نطاق القياس ±281 g —
Axis Z (single) Z (vertical / out-of-plane)
نوع الخرج Analog voltage Analog, ratiometric voltage
جهد التغذية 5.0 V nominal —
Sensitivity [DATA_NEEDED: sensitivity mV/g] —
Zero-g Output Approximately 2.5 V (ratiometric) —
Bandwidth 400 Hz (factory-set 4-pole LPF cutoff) —
Filter Type 4-pole low-pass (Butterworth) On-chip 2-pole low-pass filter
Self-Test Yes (electromechanical) Yes - system-level, logic input
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة 16-pin SOIC 16-pin SOIC (SOP-16), surface mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
حالة RoHS Non-Compliant (contains lead) Non-Compliant (contains lead, per DigiChip listing)
Technology Capacitive MEMS, surface micromachined —
Acceleration Range — ±5 g
Sensing Technology — Capacitive MEMS (silicon micromachined)
Supply Voltage (VDD) — 4.75 V to 5.25 V
Sensitivity (nominal) — [DATA_NEEDED: sensitivity V/g]
Zero-g Offset (nominal) — 2.5 V (at VDD = 5 V, ratiometric)
Filter Cut-off Frequency (-3 dB) — 50 Hz
نطاق درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +105 °C
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free Status — Contains Lead
Temperature Grade — Automotive

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر