MMA1200D vs MMA1250D तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MMA1200D द्वारा NXP Semiconductors और MMA1250D द्वारा NXP Semiconductors. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MMA1200D MMA1200D - ±281g Z-Axis Accelerometer | NXP SOIC-16

MMA1200D - ±281g Z-Axis Accelerometer | NXP SOIC-16

MMA1200D ⚠ अंतिम खरीद
NXP Semiconductors
MMA1250D MMA1250D - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250D - ±5g Z-Axis Micromachined Accelerometer | NXP

MMA1250D Obsolete

विशेषता तुलना

पैरामीटर MMA1200D MMA1250D
ब्रांड NXP Semiconductors NXP Semiconductors
श्रेणी Motion Sensors Motion Sensors
लाइफसाइकिल स्थिति अंतिम बार खरीदें Obsolete
सेंसर प्रकार Accelerometer, Z-axis Accelerometer, Z-axis single-axis
मापन रेंज ±281 g —
Axis Z (single) Z (vertical / out-of-plane)
आउटपुट प्रकार Analog voltage Analog, ratiometric voltage
सप्लाई वोल्टेज 5.0 V nominal —
Sensitivity [DATA_NEEDED: sensitivity mV/g] —
Zero-g Output Approximately 2.5 V (ratiometric) —
Bandwidth 400 Hz (factory-set 4-pole LPF cutoff) —
Filter Type 4-pole low-pass (Butterworth) On-chip 2-pole low-pass filter
Self-Test Yes (electromechanical) Yes - system-level, logic input
ऑपरेटिंग तापमान -40C to +125C —
पैकेज 16-pin SOIC 16-pin SOIC (SOP-16), surface mount
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Non-Compliant (contains lead) Non-Compliant (contains lead, per DigiChip listing)
Technology Capacitive MEMS, surface micromachined —
Acceleration Range — ±5 g
Sensing Technology — Capacitive MEMS (silicon micromachined)
Supply Voltage (VDD) — 4.75 V to 5.25 V
Sensitivity (nominal) — [DATA_NEEDED: sensitivity V/g]
Zero-g Offset (nominal) — 2.5 V (at VDD = 5 V, ratiometric)
Filter Cut-off Frequency (-3 dB) — 50 Hz
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — -40 °C to +105 °C
MSL स्तर — [DATA_NEEDED: MSL rating]
Lead-Free Status — Contains Lead
Temperature Grade — Automotive

डेटाशीट और संसाधन

सभी उत्पादों को देखें BOM बनाएं कीट की अनुरोध