MMBT3904 vs MMBT3904LT1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MMBT3904 بواسطة onsemi و MMBT3904LT1 بواسطة onsemi. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل MMBT3904 MMBT3904LT1
العلامة التجارية onsemi onsemi
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور NPN —
العلبة SOT-23 (TO-236AB), 3 pins SOT-23 (TO-236), 3-pin
جهد المجمع-الباعث (Vceo) 40 V 40 V
جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) 60 V 60 V
جهد الباعث-القاعدة (Vebo) 6 V 6 V
Continuous Collector Current (IC) 200 mA 200 mA
Power Dissipation (PD) 200 mW to 350 mW (board-dependent) 200 mW (on minimum recommended pad)
تردد الانتقال (ft) 300 MHz (typ, at VCE=20 V, IC=10 mA) 300 MHz (min)
DC Current Gain (hFE) 100 to 300 (at IC=10 mA, VCE=1.0 V) 100 to 300
Noise Figure 5 dB (max) 5 dB (max)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55C to +150C (junction) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Complementary PNP Part MMBT3906 MMBT3906
Lead-Free / RoHS Yes (fully RoHS compliant per datasheet) —
Automotive Grade (AEC-Q101) Qualified by selected suppliers —
Polarity — NPN
جهد التشبع للمجمّع-الباعث (Vce(sat)) — [DATA_NEEDED: exact VCE(sat) value at rated IC]
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55 °C to +150 °C
Die Construction — Epitaxial Planar
حالة RoHS — Compliant (Lead Free version available)
AEC-Q101 Qualified — Yes (S-prefix variant)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر