MPQ2222 vs MPQ2222-PBFREE مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPQ2222 بواسطة Central Semiconductor و MPQ2222-PBFREE بواسطة Central Semiconductor. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل MPQ2222 MPQ2222-PBFREE
العلامة التجارية Central Semiconductor Central Semiconductor
الفئة Transistors Transistors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Configuration Quad NPN Transistor Array (4 independent devices) —
Transistor Polarity NPN Silicon —
جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) [DATA_NEEDED: VCBO exact value, typically 60 V class per 2N2222 family - verify in datasheet] 75 V
Collector-Emitter Voltage Rating 40 V —
جهد الباعث-القاعدة (Vebo) [DATA_NEEDED: VEBO exact value] 6 V
Continuous Collector Current (per device) 500 mA —
تردد الانتقال (ft) 200 MHz 200 MHz
Power Dissipation (total package) 650 mW —
Power Dissipation (per transistor) [DATA_NEEDED: per-transistor dissipation value] —
DC Current Gain (hFE) [DATA_NEEDED: hFE min/typ, higher in MPQ2222A grade] [DATA_NEEDED: hFE min/max]
Operating and Storage Junction Temperature [DATA_NEEDED: exact TJ range from datasheet] —
Thermal Resistance (total package) [DATA_NEEDED: thermal resistance value] —
العلبة 14-pin DIP (TO-116), Through Hole TO-116 (14-pin through-hole DIP)
نوع التركيب Through Hole Through Hole
Marking Full part number —
حالة RoHS Lead-free (PB Free suffix version available) —
نوع الترانزستور — 4 NPN (Quad) BJT Array
جهد المجمع-الباعث (Vceo) — 40 V
Max Collector Current (IC) — 500 mA
Power Dissipation (Pd) — 650 mW
Number of Elements — 4
Polarity — NPN
Application — General Purpose Amplifier/Switch
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Lead Free — Yes (PBFREE suffix)
Packaging — Tube
Product Status — Active

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر