MPXV5010DP vs MPXV5010GP مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MPXV5010DP بواسطة NXP Semiconductors و MPXV5010GP بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MPXV5010DP MPXV5010GP
العلامة التجارية NXP Semiconductors STMicroelectronics
الفئة Pressure Sensors Pressure Sensors
حالة دورة الحياة نشط نشط
Pressure Type Differential Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) —
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload] —
نوع الخرج Analog, Ratiometric Analog Voltage
نطاق جهد الخرج 0.2 V to 4.7 V —
جهد التغذية 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) 5 V
Accuracy 5 % (over 0 C to 85 C) [DATA_NEEDED: accuracy %FS]
Response Time 1 ms typical —
درجة حرارة التشغيل -40 C to +125 C 0 C to +85 C
Compensated Temperature 0 C to 85 C —
Port Style Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side Male - 3.17 mm (0.13 in) Tube, Side Port
العلبة 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports 8-SMD, Gull Wing, Side Port
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Technology Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned —
حالة RoHS Compliant —
Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI)
Operating Pressure Max — 10 kPa
جهد الخرج — 0.2 V to 4.7 V
تيار التغذية — 5 mA typical
Sensitivity — 450 mV/kPa (approx, 0.2-4.7 V span)
Sensor Technology — Piezoresistive (MEMS silicon)
Signal Conditioning — On-chip, temperature compensated, calibrated
Output Ratiometric — Yes (output scales with VDD)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر