MPXV5010DP vs MPXV5010GP तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना MPXV5010DP द्वारा NXP Semiconductors और MPXV5010GP द्वारा STMicroelectronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

NXP Semiconductors
MPXV5010DP MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP - 10kPa Differential Pressure Sensor | NXP

MPXV5010DP ✓ सक्रिय
STMicroelectronics
MPXV5010GP MPXV5010GP - 0-10 kPa Vented Gauge Pressure Sensor, 8-SMD | STMicroelectronics

MPXV5010GP - 0-10 kPa Vented Gauge Pressure Sensor, 8-SMD | STMicroelectronics

MPXV5010GP ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर MPXV5010DP MPXV5010GP
ब्रांड NXP Semiconductors STMicroelectronics
श्रेणी Pressure Sensors Pressure Sensors
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Pressure Type Differential Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) —
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload] —
आउटपुट प्रकार Analog, Ratiometric Analog Voltage
आउटपुट वोल्टेज रेंज 0.2 V to 4.7 V —
सप्लाई वोल्टेज 5 V nominal (4.75 V to 5.25 V) 5 V
Accuracy 5 % (over 0 C to 85 C) [DATA_NEEDED: accuracy %FS]
Response Time 1 ms typical —
ऑपरेटिंग तापमान -40 C to +125 C 0 C to +85 C
Compensated Temperature 0 C to 85 C —
Port Style Male, 0.13 in (3.3 mm) tube, Dual, Same Side Male - 3.17 mm (0.13 in) Tube, Side Port
पैकेज 8-BSOP (0.475 in / 12.06 mm width), Dual Ports 8-SMD, Gull Wing, Side Port
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
Technology Piezoresistive, MEMS, On-chip Signal Conditioned —
RoHS स्थिति Compliant —
Pressure Range — 0 kPa to 10 kPa (0 PSI to 1.45 PSI)
Operating Pressure Max — 10 kPa
आउटपुट वोल्टेज — 0.2 V to 4.7 V
सप्लाई करंट — 5 mA typical
Sensitivity — 450 mV/kPa (approx, 0.2-4.7 V span)
Sensor Technology — Piezoresistive (MEMS silicon)
Signal Conditioning — On-chip, temperature compensated, calibrated
Output Ratiometric — Yes (output scales with VDD)

डेटाशीट और संसाधन

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