MRF6S19100HR3 vs MRF7S19100NBR1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF6S19100HR3 بواسطة NXP Semiconductors و MRF7S19100NBR1 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF7S19100NBR1 MRF7S19100NBR1 - 29W 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MRF7S19100NBR1 - 29W 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MRF7S19100NBR1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF6S19100HR3 MRF7S19100NBR1
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number MRF6S19100HR3 MRF7S19100NBR1
Device Type RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) RF Power MOSFET (N-Channel Enhancement-Mode Lateral)
Technology N-Channel LDMOS —
Operating Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Output Power (P1dB, Avg) 22 W (N-CDMA Average) —
Power Gain 16.1 dB (typical at 1.99 GHz) —
Drain Voltage (Vds) 28 V —
Quiescent Drain Current (Idq) 900 mA (typical) —
العلبة / الحالة NI-780H-2L (Case 465-06, Style 1) TO-270 WB-4 (TO-272 WB-4), plastic over-molded, surface mount
نوع التركيب Flanged / Screw-mount with ceramic body —
Lead Style Dual blade (HR3 suffix) —
Operating Mode Class AB (linear) —
Target Applications N-CDMA base station, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier, PCS/cellular radio, WLL —
حالة RoHS Compliant (per NXP product page) compliant (per NXP product page)
Frequency Band — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Test Frequency (typical) — 1.96 GHz
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS, min) — 65 V
Drain Operating Voltage (VDD) — 28 V (nominal)
Quiescent Drain Current (IDQ) — 1000 mA
Output Power (Pout, average) — 29 W (single-carrier W-CDMA, 3GPP TM1 64 DPCH, 50% clipping)
Power Gain (Gp, typical) — 17.5 dB
Drain Efficiency (typical) — [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %]
Configuration — Single, N-Channel
نمط التركيب — Surface Mount with copper ground flange (heatsink bolted)
JEDEC Terminal Code — JESD-30: R-PDFM-F4
Terminal Finish (JESD-609) — e3 (tin-lead reflow compatible per manufacturer data)
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range C]
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range C]
Lead-Free — yes

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر