MRF6S19100HR3 vs MRF7S19100NBR1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از MRF6S19100HR3 بذریعہ NXP Semiconductors اور MRF7S19100NBR1 بذریعہ NXP Semiconductors. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

NXP Semiconductors
MRF6S19100HR3 MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP

MRF6S19100HR3 ✓ فعال
NXP Semiconductors
MRF7S19100NBR1 MRF7S19100NBR1 - 29W 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MRF7S19100NBR1 - 29W 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP

MRF7S19100NBR1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر MRF6S19100HR3 MRF7S19100NBR1
برانڈ NXP Semiconductors NXP Semiconductors
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor)
Part Number MRF6S19100HR3 MRF7S19100NBR1
Device Type RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) RF Power MOSFET (N-Channel Enhancement-Mode Lateral)
Technology N-Channel LDMOS —
Operating Frequency Range 1930 MHz to 1990 MHz —
Output Power (P1dB, Avg) 22 W (N-CDMA Average) —
Power Gain 16.1 dB (typical at 1.99 GHz) —
Drain Voltage (Vds) 28 V —
Quiescent Drain Current (Idq) 900 mA (typical) —
پیکیج / کیس NI-780H-2L (Case 465-06, Style 1) TO-270 WB-4 (TO-272 WB-4), plastic over-molded, surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Flanged / Screw-mount with ceramic body —
Lead Style Dual blade (HR3 suffix) —
Operating Mode Class AB (linear) —
Target Applications N-CDMA base station, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier, PCS/cellular radio, WLL —
RoHS اسٹیٹس Compliant (per NXP product page) compliant (per NXP product page)
Frequency Band — 1.93 GHz to 1.99 GHz
Test Frequency (typical) — 1.96 GHz
Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS, min) — 65 V
Drain Operating Voltage (VDD) — 28 V (nominal)
Quiescent Drain Current (IDQ) — 1000 mA
Output Power (Pout, average) — 29 W (single-carrier W-CDMA, 3GPP TM1 64 DPCH, 50% clipping)
Power Gain (Gp, typical) — 17.5 dB
Drain Efficiency (typical) — [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %]
Configuration — Single, N-Channel
ماؤنٹنگ اسٹائل — Surface Mount with copper ground flange (heatsink bolted)
JEDEC Terminal Code — JESD-30: R-PDFM-F4
Terminal Finish (JESD-609) — e3 (tin-lead reflow compatible per manufacturer data)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — [DATA_NEEDED: operating temperature range C]
Storage Temperature Range — [DATA_NEEDED: storage temperature range C]
Lead-Free — yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں