MRF6S19100HR3 vs MRF7S19100NBR1 So sánh
So sánh chi tiết song song của MRF6S19100HR3 bằng NXP Semiconductors và MRF7S19100NBR1 bằng NXP Semiconductors. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
NXP Semiconductors
MRF6S19100HR3 - 22W RF Power MOSFET 1930-1990 MHz N-CDMA | NXP
MRF6S19100HR3 ✓ Hoạt độngNXP Semiconductors
MRF7S19100NBR1 - 29W 1.93-1.99GHz RF Power MOSFET | NXP
MRF7S19100NBR1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | MRF6S19100HR3 | MRF7S19100NBR1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) | NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) |
| Part Number | MRF6S19100HR3 | MRF7S19100NBR1 |
| Device Type | RF Power Field Effect Transistor (N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET) | RF Power MOSFET (N-Channel Enhancement-Mode Lateral) |
| Technology | N-Channel LDMOS | — |
| Operating Frequency Range | 1930 MHz to 1990 MHz | — |
| Output Power (P1dB, Avg) | 22 W (N-CDMA Average) | — |
| Power Gain | 16.1 dB (typical at 1.99 GHz) | — |
| Drain Voltage (Vds) | 28 V | — |
| Quiescent Drain Current (Idq) | 900 mA (typical) | — |
| Hộp / Vỏ | NI-780H-2L (Case 465-06, Style 1) | TO-270 WB-4 (TO-272 WB-4), plastic over-molded, surface mount |
| Kiểu lắp đặt | Flanged / Screw-mount with ceramic body | — |
| Lead Style | Dual blade (HR3 suffix) | — |
| Operating Mode | Class AB (linear) | — |
| Target Applications | N-CDMA base station, TDMA, CDMA, multicarrier amplifier, PCS/cellular radio, WLL | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant (per NXP product page) | compliant (per NXP product page) |
| Frequency Band | — | 1.93 GHz to 1.99 GHz |
| Test Frequency (typical) | — | 1.96 GHz |
| Drain-Source Breakdown Voltage (V(BR)DSS, min) | — | 65 V |
| Drain Operating Voltage (VDD) | — | 28 V (nominal) |
| Quiescent Drain Current (IDQ) | — | 1000 mA |
| Output Power (Pout, average) | — | 29 W (single-carrier W-CDMA, 3GPP TM1 64 DPCH, 50% clipping) |
| Power Gain (Gp, typical) | — | 17.5 dB |
| Drain Efficiency (typical) | — | [DATA_NEEDED: typical drain efficiency %] |
| Configuration | — | Single, N-Channel |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount with copper ground flange (heatsink bolted) |
| JEDEC Terminal Code | — | JESD-30: R-PDFM-F4 |
| Terminal Finish (JESD-609) | — | e3 (tin-lead reflow compatible per manufacturer data) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range C] |
| Storage Temperature Range | — | [DATA_NEEDED: storage temperature range C] |
| Lead-Free | — | yes |