MRF8P23080HSR3 vs MRF8P23080HSR5 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MRF8P23080HSR3 بواسطة NXP Semiconductors و MRF8P23080HSR5 بواسطة NXP Semiconductors. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

NXP Semiconductors
MRF8P23080HSR3 MRF8P23080HSR3 - 80W 2300-2400MHz LDMOS RF Power MOSFET | NXP

MRF8P23080HSR3 - 80W 2300-2400MHz LDMOS RF Power MOSFET | NXP

MRF8P23080HSR3 ✓ نشط
NXP Semiconductors
MRF8P23080HSR5 MRF8P23080HSR5 - 80W RF MOSFET 2.3GHz W-CDMA/LTE | NXP

MRF8P23080HSR5 - 80W RF MOSFET 2.3GHz W-CDMA/LTE | NXP

MRF8P23080HSR5 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل MRF8P23080HSR3 MRF8P23080HSR5
العلامة التجارية NXP Semiconductors NXP Semiconductors
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الترانزستور LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET —
Manufacturer NXP Semiconductors (formerly Freescale Semiconductor) NXP Semiconductors
Drain-Source Voltage (V DSS) 65 V —
Drain Bias Voltage (V DD) 28 V (typical operating) —
Test Quiescent Current (I DQ) 280 mA —
Frequency Range 2300 MHz to 2620 MHz —
Center Test Frequency 2.3 GHz —
Typical Power Gain 14.6 dB —
Average Output Power (P3dB-class, single-carrier W-CDMA) 16 W —
العلبة / الحالة NI-780S-4L (air-cavity ceramic, flange-mount) NI-780S-4L
نوع التركيب Chassis / flange-mount, bolt-down with screws Chassis / Flange Mount
Maximum Operating Temperature (Tj) 225 C (junction) —
Configuration Common source, 2 elements —
Lead-Free / RoHS Lead-Free Status confirmed per DigiKey listing —
Typical Modulation Formats W-CDMA, LTE, TD-LTE; Class AB and Class C —
Suggested Topology Doherty final stage (single-carrier W-CDMA) —
Product Type — RF Power MOSFET (Lateral N-Channel)
Series — Airfast HV8
Frequency Band — 2300 to 2400 MHz
Test Frequency — 2.3 GHz
Target Waveforms — W-CDMA, LTE
Average Output Power — 16 W
Peak Output Power — 80 W
Power Gain (typical) — 14.6 dB at 2.3 GHz
Drain-Source Voltage (Vds) Test Condition — 28 V
Drain Current (Id) Test Condition — 280 mA
Operating Mode — Class AB
Technology — Laterally Diffused MOS (LDMOS)
Channel Polarity — N-Channel
Compliance — RoHS compliant per NXP product page

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر