MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT5AD512M16 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ MT40A512M16JY-07EAIT:B بواسطة Micron Technology و NT5AD512M16 بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron
MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | MT40A512M16JY-07EAIT:B | NT5AD512M16 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Micron Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | — |
| معدل البيانات | 2666 MT/s | 3200 Mbps (DDR4-3200) |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.2V ±60mV | — |
| VPP Voltage | 2.5V, -125mV, +250mV | — |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96-FBGA (8x14) | 96-ball FBGA |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -40°C to +105°C (AIT grade) | — |
| Refresh Time | 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C | — |
| I/O Type | 1.2V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable | — |
| AEC-Q100 | Qualified (AIT suffix) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Total Density | — | 8 Gbit |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| Operating Temperature (Commercial) | — | 0°C to +95°C |
| Operating Temperature (Industrial) | — | -40°C to +95°C |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |