MT40A512M16JY-07EAIT:B vs NT5AD512M16 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT40A512M16JY-07EAIT:B por Micron Technology e NT5AD512M16 por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT40A512M16JY-07EAIT:B MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Micron

MT40A512M16JY-07EAIT:B ✓ Ativo
Nanya Technology
NT5AD512M16 NT5AD512M16 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology

NT5AD512M16 - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Nanya Technology

NT5AD512M16 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT40A512M16JY-07EAIT:B NT5AD512M16
Marca Micron Technology Nanya Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $8,10 $73,75
Tipo de memória DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Tamanho da memória 8 Gbit —
Organização da memória 512M x 16 512M x 16
Clock Frequency 1.33 GHz —
Taxa de dados 2666 MT/s 3200 Mbps (DDR4-3200)
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.2V ±60mV —
VPP Voltage 2.5V, -125mV, +250mV —
Interface Parallel —
Encapsulamento 96-FBGA (8x14) 96-ball FBGA
Faixa de temperatura de operação -40°C to +105°C (AIT grade) —
Refresh Time 64ms at -40°C to 85°C, 32ms at >85°C to 95°C, 16ms at >95°C to 105°C —
I/O Type 1.2V pseudo open-drain —
VREFDQ On-die, internal, adjustable —
AEC-Q100 Qualified (AIT suffix) —
RoHS Compliant Compliant
Total Density — 8 Gbit
Supply Voltage (VDD) — 1.2 V
Operating Temperature (Commercial) — 0°C to +95°C
Operating Temperature (Industrial) — -40°C to +95°C
Auto Self-Refresh — Yes
Built-in Temperature Sensor — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
CRC Function — Yes

Fichas técnicas e recursos

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