N25Q256A13E12A0F vs N25Q256A83ESFA0F مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ N25Q256A13E12A0F بواسطة Micron Technology و N25Q256A83ESFA0F بواسطة Micron Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Micron Technology
N25Q256A13E12A0F N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F ✓ نشط
Micron Technology
N25Q256A83ESFA0F N25Q256A83ESFA0F - 256Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q256A83ESFA0F - 256Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

N25Q256A83ESFA0F ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل N25Q256A13E12A0F N25Q256A83ESFA0F
العلامة التجارية Micron Technology Micron Technology
الفئة Memory ICs EEPROM
حالة دورة الحياة نشط نشط
نوع الذاكرة NOR Flash, Serial SPI NOR Flash, Serial SPI
Density 256 Mbit (32 MB) 256 Mbit (32 MB)
التنظيم 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note 32M x 8
جهد التغذية 2.7 V to 3.6 V 3 V (2.7 V to 3.6 V)
Max SPI Clock Frequency 108 MHz —
I/O Modes Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash) —
Technology SLC (Single-Level Cell) 65nm NOR
Sector Erase Size 4 KB 4 KB
العلبة 24-ball T-PBGA (6x8 mm) 16-SOIC Wide (16SO)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
درجة حرارة التشغيل -40C to +125C -40C to +125C
Access Time 8 ns (per FindIC listing) —
حالة RoHS Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (TR)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention years] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby current] —
الواجهة — SPI, Multiple I/O (Single/Dual/Quad)
Max Clock Frequency — 108 MHz
الميزات — Execute-In-Place (XIP), Advanced Write Protection
Grade — Industrial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر