N25Q256A13E12A0F vs N25Q256A83ESFA0F 비교

다음의 상세 나란히 비교: N25Q256A13E12A0F 제조: Micron Technology 및 N25Q256A83ESFA0F 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
N25Q256A13E12A0F N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F - 256Mb SPI NOR Flash, 108MHz | Micron

N25Q256A13E12A0F ✓ 활성
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N25Q256A83ESFA0F N25Q256A83ESFA0F - 256Mb SPI NOR Flash 108MHz | Micron

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사양 비교

파라미터 N25Q256A13E12A0F N25Q256A83ESFA0F
브랜드 Micron Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs EEPROM
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.00 $2.05
메모리 유형 NOR Flash, Serial SPI NOR Flash, Serial SPI
Density 256 Mbit (32 MB) 256 Mbit (32 MB)
메모리 구성 64M x 4 (Mouser listing); 32M x 8 per FindIC listing - see validation note 32M x 8
공급 전압 2.7 V to 3.6 V 3 V (2.7 V to 3.6 V)
Max SPI Clock Frequency 108 MHz —
I/O Modes Single, Dual, Quad I/O (Multiple I/O Serial Flash) —
Technology SLC (Single-Level Cell) 65nm NOR
Sector Erase Size 4 KB 4 KB
패키지 24-ball T-PBGA (6x8 mm) 16-SOIC Wide (16SO)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 -40C to +125C -40C to +125C
Access Time 8 ns (per FindIC listing) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (TR suffix) Tape & Reel (TR)
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: program/erase endurance cycles] —
Data Retention [DATA_NEEDED: data retention years] —
Active Read Current [DATA_NEEDED: ICC read current] —
Standby Current [DATA_NEEDED: ICC standby current] —
인터페이스 — SPI, Multiple I/O (Single/Dual/Quad)
Max Clock Frequency — 108 MHz
특징 — Execute-In-Place (XIP), Advanced Write Protection
Grade — Industrial

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