NT5AD512M16B4-HR vs NT5AD512M16C4-JR مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5AD512M16B4-HR بواسطة Nanya Technology و NT5AD512M16C4-JR بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5AD512M16B4-HR | NT5AD512M16C4-JR |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| سعر الوحدة (USD) | — | $73.75 |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8Gb | 8 Gbit |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x16 |
| جهد التغذية | 1.2V | — |
| العلبة | 96-ball TFBGA | TFBGA-96 |
| Temperature Range | 0°C to +95°C | — |
| معدل البيانات | 3200 Mbps | 1.6 GHz (DDR4-3200) |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Data Mask | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Supply Voltage (VDD) | — | 1.2 V |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | 0°C to +95°C |
| Standby Current | — | 0.023 A (max) |
| Number of Terminals | — | 96 |