NT5CB256M16CP-DIH vs NT5CC256M16CP-DIB1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CB256M16CP-DIH بواسطة Nanya Technology و NT5CC256M16CP-DIB1 بواسطة Nanya Technology. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | NT5CB256M16CP-DIH | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nanya Technology | Nanya Technology |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| التنظيم | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (±0.075V) | — |
| معدل البيانات | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | 11 |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| الواجهة | SSTL_15 | — |
| العلبة | 96-ball TFBGA | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| درجة حرارة التشغيل | -40°C to +95°C (industrial) | 0C to +95C (Tcase) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| جهد التغذية | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| خالٍ من الهالوجين | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |