NT5CB256M16CP-DIH vs NT5CC256M16CP-DIB1 比較
詳細並排比較 NT5CB256M16CP-DIH 由 Nanya Technology 與 NT5CC256M16CP-DIB1 由 Nanya Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | NT5CB256M16CP-DIH | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| 品牌 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| 組織 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (±0.075V) | — |
| 資料速率 | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | 11 |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| 介面 | SSTL_15 | — |
| 封裝 | 96-ball TFBGA | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| 工作溫度 | -40°C to +95°C (industrial) | 0C to +95C (Tcase) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| 供應電壓 | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| 無鹵素 | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |