NT5CB256M16CP-DIH vs NT5CC256M16CP-DIB1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CB256M16CP-DIH द्वारा Nanya Technology और NT5CC256M16CP-DIB1 द्वारा Nanya Technology. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CB256M16CP-DIH | NT5CC256M16CP-DIB1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | Nanya Technology |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (±0.075V) | — |
| डेटा दर | 1600Mbps (DDR3L-1600) | 1600Mbps (DDR3L-1600) |
| Internal Banks | 8 (BA0-BA2) | — |
| CAS Latency (CL) | 5, 6, 7, 8, 9 | 11 |
| WRITE Latency (CWL) | 5, 6, 7, 8, 9 | — |
| इंटरफ़ेस | SSTL_15 | — |
| पैकेज | 96-ball TFBGA | TFBGA-96, 9x13mm, 0.8mm pitch |
| ऑपरेटिंग तापमान | -40°C to +95°C (industrial) | 0C to +95C (Tcase) |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| REACH | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Process Technology | 70nm | — |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35V |
| Number of Banks | — | 8 |
| Write Latency (CWL) | — | 8 |
| tRCD/tRP | — | 11 |
| Burst Length | — | 8 (BL8) and 4 (BC4) |
| हैलोजन फ्री | — | Yes |
| Lead Free | — | Yes |