NT5CC256M16CP-DIH vs K4B4G1646E-BYMA مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ NT5CC256M16CP-DIH بواسطة Nanya Technology و K4B4G1646E-BYMA بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIH NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DIH ✓ نشط
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل NT5CC256M16CP-DIH K4B4G1646E-BYMA
العلامة التجارية Nanya Technology Samsung Electronics
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) — $14.32
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4 Gb
التنظيم 256M x 16 256M x 16
جهد التغذية 1.35V 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
معدل البيانات 1600 Mbps (DDR3L-1600) 1866 Mbps/pin
العلبة TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) FBGA-96
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) Programmable (11, 12, 13) —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Burst Length 8 (with on-the-fly burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
درجة حرارة التشغيل 0C to +95C (Tc) for commercial, -40C to +95C for industrial/automotive 0°C to +95°C
RoHS Compliant Compliant
خالٍ من الهالوجين Yes —
Lead Free Yes —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Clock Frequency — 933 MHz
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
زمن الوصول CAS — [DATA_NEEDED: CAS Latency]
عدد الدبابيس — 96

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر