TLP183(GB-TPL,E vs TLP183(GB-TPLE(T مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLP183(GB-TPL,E بواسطة Toshiba و TLP183(GB-TPLE(T بواسطة Toshiba. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Toshiba
TLP183(GB-TPLE(T - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6 | Toshiba
TLP183(GB-TPLE(T ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | TLP183(GB-TPL,E | TLP183(GB-TPLE(T |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Toshiba | Toshiba |
| الفئة | Optocouplers | Optocouplers |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Product Type | Phototransistor Output Optocoupler | — |
| Number of Channels | 1 | 1 |
| Isolation Voltage (rms) | 3750 Vrms | — |
| العلبة | 6-SOP (4-lead SO6), surface mount | SO6 (4 effective pins) |
| CTR Rank | GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V) | — |
| Forward Current (IF) max | 50 mA | 50 mA |
| Reverse Voltage (VR) max | 5 V | — |
| Collector-Emitter Voltage (VCEO) max | 80 V | — |
| Emitter-Base Voltage (VEBO) max | 7 V | — |
| Collector Current (IC) max | 50 mA | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +125°C | — |
| Input LED Type | GaAs infrared emitting diode | — |
| Output Transistor Type | Silicon NPN phototransistor | — |
| نوع التركيب | Surface Mount (SMT) | Surface Mount |
| Packaging | Tape and Reel (TPL suffix) | — |
| حالة RoHS | RoHS compatible | Compliant |
| Applications | PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine | — |
| Isolation Voltage | — | 3750 Vrms |
| نوع الخرج | — | Phototransistor (NPN) |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | — | 80 V (min) |
| Forward Voltage (VF) typ | — | 1.25 V at IF = 10 mA |
| CTR Bin (GB) | — | 100% to 300% at IF = 5 mA, VCE = 5 V |
| درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +125 °C |
| Input Type | — | DC |
| Rise Time (ton) typ | — | [DATA_NEEDED: rise/fall time in microseconds] |
| Fall Time (toff) typ | — | [DATA_NEEDED: fall time in microseconds] |
| Power Dissipation (Output) max | — | [DATA_NEEDED: Pc max in mW] |
| مستوى MSL | — | 1 |
| Lead-Free | — | Yes |