TLP183(GB-TPL,E vs TLP183(GB-TPLE(T So sánh

So sánh chi tiết song song của TLP183(GB-TPL,E bằng Toshiba và TLP183(GB-TPLE(T bằng Toshiba. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Toshiba
TLP183(GB-TPLE(T TLP183(GB-TPLE(T - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6 | Toshiba

TLP183(GB-TPLE(T - 3750Vrms Phototransistor Optocoupler SO6 | Toshiba

TLP183(GB-TPLE(T ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số TLP183(GB-TPL,E TLP183(GB-TPLE(T
Thương hiệu Toshiba Toshiba
Danh mục Optocouplers Optocouplers
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Product Type Phototransistor Output Optocoupler —
Number of Channels 1 1
Isolation Voltage (rms) 3750 Vrms —
Hộp 6-SOP (4-lead SO6), surface mount SO6 (4 effective pins)
CTR Rank GB (100% to 600% at IF=5 mA, VCE=5 V) —
Forward Current (IF) max 50 mA 50 mA
Reverse Voltage (VR) max 5 V —
Collector-Emitter Voltage (VCEO) max 80 V —
Emitter-Base Voltage (VEBO) max 7 V —
Collector Current (IC) max 50 mA —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55°C to +125°C —
Input LED Type GaAs infrared emitting diode —
Output Transistor Type Silicon NPN phototransistor —
Kiểu lắp đặt Surface Mount (SMT) Surface Mount
Packaging Tape and Reel (TPL suffix) —
Trạng thái RoHS RoHS compatible Compliant
Applications PLC, AC Adapter, I/O Interface, Office Machine —
Isolation Voltage — 3750 Vrms
Kiểu đầu ra — Phototransistor (NPN)
N Nap-Emit (Vceo) — 80 V (min)
Forward Voltage (VF) typ — 1.25 V at IF = 10 mA
CTR Bin (GB) — 100% to 300% at IF = 5 mA, VCE = 5 V
Nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +125 °C
Input Type — DC
Rise Time (ton) typ — [DATA_NEEDED: rise/fall time in microseconds]
Fall Time (toff) typ — [DATA_NEEDED: fall time in microseconds]
Power Dissipation (Output) max — [DATA_NEEDED: Pc max in mW]
Cấp MSL — 1
Lead-Free — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá