TLV6001IDBVR vs TLV9001IDBVR مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ TLV6001IDBVR بواسطة Texas Instruments و TLV9001IDBVR بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Texas Instruments
TLV6001IDBVR TLV6001IDBVR - 1MHz RRIO Op Amp, 75uA | Texas Instruments

TLV6001IDBVR - 1MHz RRIO Op Amp, 75uA | Texas Instruments

TLV6001IDBVR ✓ نشط
Texas Instruments
TLV9001IDBVR TLV9001IDBVR - 1-MHz RRIO Op Amp | Texas Instruments

TLV9001IDBVR - 1-MHz RRIO Op Amp | Texas Instruments

TLV9001IDBVR ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل TLV6001IDBVR TLV9001IDBVR
العلامة التجارية Texas Instruments Texas Instruments
الفئة Amplifier ICs Amplifier ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Number of Channels 1 1
Gain-Bandwidth Product 1 MHz —
Supply Voltage Range 1.8 V to 5.5 V 1.8 V to 5.5 V
Quiescent Current (per channel) 75 uA 60 uA (typical)
Input/Output Type Rail-to-Rail Input and Output (RRIO) —
Input Voltage Noise Density 28 nV/√Hz at 1 kHz 4.7 nV/√Hz at 1 kHz
Input Bias Current 1 pA 2 pA
Slew Rate 0.5 V/us 2 V/us
Capacitive Load Stability Up to 100 pF —
نطاق درجة حرارة التشغيل -40C to +125C —
العلبة SOT-23-5 (DBV) SOT-23-5 (DBV) 2.90 mm x 1.60 mm
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Architecture CMOS —
حالة RoHS Compliant Compliant
Amplifier Class General Purpose —
البنية الطوبولوجية — CMOS, Rail-to-Rail In/Out
Unity-Gain Bandwidth — 1 MHz
Input Offset Voltage (max) — 1.6 mV
Input Common-Mode Range — Rail-to-Rail
Output Swing — Rail-to-Rail
Output Current (sourcing/sinking) — 40 mA
Open-Loop Gain (DC) — 86 dB
Input Offset Drift — 600 nV/°C
تيار الإيقاف — 5 pA
درجة حرارة التشغيل — -40 °C to +125 °C
EMI/RFI Rejection Filter — Integrated
Capacitive Load Drive — 500 pF
مستوى MSL — 2 (1 year floor life)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر