TLV6001IDBVR vs TLV9001IDBVR Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von TLV6001IDBVR von Texas Instruments und TLV9001IDBVR von Texas Instruments. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Texas Instruments
TLV6001IDBVR TLV6001IDBVR - 1MHz RRIO Op Amp, 75uA | Texas Instruments

TLV6001IDBVR - 1MHz RRIO Op Amp, 75uA | Texas Instruments

TLV6001IDBVR ✓ Aktiv
Texas Instruments
TLV9001IDBVR TLV9001IDBVR - 1-MHz RRIO Op Amp | Texas Instruments

TLV9001IDBVR - 1-MHz RRIO Op Amp | Texas Instruments

TLV9001IDBVR ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter TLV6001IDBVR TLV9001IDBVR
Marke Texas Instruments Texas Instruments
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,17 $0,14
Number of Channels 1 1
Gain-Bandwidth Product 1 MHz —
Supply Voltage Range 1.8 V to 5.5 V 1.8 V to 5.5 V
Quiescent Current (per channel) 75 uA 60 uA (typical)
Input/Output Type Rail-to-Rail Input and Output (RRIO) —
Input Voltage Noise Density 28 nV/√Hz at 1 kHz 4.7 nV/√Hz at 1 kHz
Input Bias Current 1 pA 2 pA
Slew Rate 0.5 V/us 2 V/us
Capacitive Load Stability Up to 100 pF —
Betriebstemperaturbereich -40C to +125C —
Gehäuse SOT-23-5 (DBV) SOT-23-5 (DBV) 2.90 mm x 1.60 mm
Montageart Surface Mount Surface Mount
Architecture CMOS —
RoHS-Status Compliant Compliant
Amplifier Class General Purpose —
Topologie — CMOS, Rail-to-Rail In/Out
Unity-Gain Bandwidth — 1 MHz
Input Offset Voltage (max) — 1.6 mV
Input Common-Mode Range — Rail-to-Rail
Output Swing — Rail-to-Rail
Output Current (sourcing/sinking) — 40 mA
Open-Loop Gain (DC) — 86 dB
Input Offset Drift — 600 nV/°C
Abschaltstrom — 5 pA
Betriebstemperatur — -40 °C to +125 °C
EMI/RFI Rejection Filter — Integrated
Capacitive Load Drive — 500 pF
MSL-Level — 2 (1 year floor life)

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