VIPERGAN50 vs VIPERGAN65 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ VIPERGAN50 بواسطة STMicroelectronics و VIPERGAN65 بواسطة STMicroelectronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | VIPERGAN50 | VIPERGAN65 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | STMicroelectronics | STMicroelectronics |
| الفئة | Power MOSFET Drivers | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | GaN (Gallium Nitride) | GaN HEMT |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 650 V | 650 V |
| On-Resistance (RDS(on)) | 150 mΩ | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C] |
| Maximum Output Power | 50 W | — |
| تردد التبديل | Up to 1 MHz | — |
| Gate Driver | Integrated | — |
| العلبة | QFN 5x6 mm | PQFN 8x8 mm |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -40°C to +150°C | — |
| الحماية من فرط التيار | Yes | — |
| Overtemperature Protection | Yes | — |
| Under-Voltage Lockout (UVLO) | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 3 | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Continuous Drain Current (ID) | — | [DATA_NEEDED: ID at 25C] |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS range] |
| Maximum Switching Frequency | — | [DATA_NEEDED: fsw max] |
| Gate Charge (Qg) | — | [DATA_NEEDED: Qg] |
| Output Capacitance (Coss) | — | [DATA_NEEDED: Coss] |
| Input Capacitance (Ciss) | — | [DATA_NEEDED: Ciss] |
| Thermal Resistance (Junction-to-Case) | — | [DATA_NEEDED: RthJC] |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -40C to +150C |
| حالة RoHS | — | Compliant |
| Integrated Gate Driver | — | Yes |
| Protection Features | — | Overcurrent, Overtemperature, UVLO |