VIPERGAN50 vs VIPERGAN65 Comparação

Comparação detalhada lado a lado de VIPERGAN50 por STMicroelectronics e VIPERGAN65 por STMicroelectronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

STMicroelectronics
VIPERGAN50 VIPERGAN50 - 50W GaN Power Stage | STMicroelectronics

VIPERGAN50 - 50W GaN Power Stage | STMicroelectronics

VIPERGAN50 ✓ Ativo
STMicroelectronics
VIPERGAN65 VIPERGAN65 - 650V GaN Power Transistor | STMicroelectronics

VIPERGAN65 - 650V GaN Power Transistor | STMicroelectronics

VIPERGAN65 ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro VIPERGAN50 VIPERGAN65
Marca STMicroelectronics STMicroelectronics
Categoria Power MOSFET Drivers Transistors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $2,24 $2,10
Technology GaN (Gallium Nitride) GaN HEMT
Drain-Source Voltage (VDS) 650 V 650 V
On-Resistance (RDS(on)) 150 mΩ [DATA_NEEDED: RDS(on) at 25C]
Maximum Output Power 50 W —
Frequência de comutação Up to 1 MHz —
Gate Driver Integrated —
Encapsulamento QFN 5x6 mm PQFN 8x8 mm
Temperatura de junção de operação -40°C to +150°C —
Proteção contra sobrecorrente Yes —
Overtemperature Protection Yes —
Under-Voltage Lockout (UVLO) Yes —
RoHS Compliant —
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Nível MSL 3 —
Lead-Free Yes —
Continuous Drain Current (ID) — [DATA_NEEDED: ID at 25C]
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS range]
Maximum Switching Frequency — [DATA_NEEDED: fsw max]
Gate Charge (Qg) — [DATA_NEEDED: Qg]
Output Capacitance (Coss) — [DATA_NEEDED: Coss]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]
Thermal Resistance (Junction-to-Case) — [DATA_NEEDED: RthJC]
Faixa de temperatura de operação — -40C to +150C
Status RoHS — Compliant
Integrated Gate Driver — Yes
Protection Features — Overcurrent, Overtemperature, UVLO

Fichas técnicas e recursos

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